IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）又稱為絕緣柵雙極型晶體管。是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（金屬氧化物半導體場效應管）組成的復合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件，其具有自關斷的特征。簡單來講，它是一個非通即斷的開關裝置，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時可以看做開路。

IGBT融合了BJT和MOSFET這兩種器件的優(yōu)點，IGBT既有MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，是電力電子領域較為理想的開關器件。

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。

IGBT的工作原理如上圖所示，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓，則MOSFET導通,這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通；

若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V時，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。IGBT內(nèi)部有三個端子，分別為集電極、發(fā)射極和柵極，端子上都附有金屬層。IGBT結(jié)構(gòu)是一個四層半導體器件。四層器件是通過組合PNP和NPN晶體管來實現(xiàn)的，它們構(gòu)成了PNPN排列。

IGBT是由MOSFET和GTR技術(shù)結(jié)合而成的復合型開關器件，是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的，性能上也是結(jié)合了MOSFET和雙極型功率晶體管的優(yōu)點。N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極(即發(fā)射極E)；P+區(qū)稱為漏區(qū)，器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極(即門極G)。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)(包括P+和P-區(qū))(溝道在該區(qū)域形成)稱為亞溝道區(qū)(Subchannel region)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)(Drain injector)，它是IGBT特有的功能區(qū)，向漏極注入空穴，進行電導調(diào)制，以降低器件的通態(tài)壓降。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極(即集電極C)。

一、IGBT在應用層面通常根據(jù)電壓等級劃分

〡、低壓IGBT：

IGBT模塊在電動汽車中發(fā)揮著至關重要的作用，是電動汽車及充電樁等設備的核心技術(shù)部件。針對車規(guī)級IGBT模塊的特殊要求，IGBT技術(shù)正朝著小型化、低功耗、耐高溫、高安全和智能化的方向發(fā)展。IGBT模塊占電動汽車成本將近10％，占充電樁成本約20％。